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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標準規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標準規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  STATEK CXOQ/CXOQHG系列超小型石英晶體振蕩器16kHz-100MHz 2025-03-11 09:08:10

  STATEK CXOQ/CXOQHG系列超小型石英晶體振蕩器（2.5x2.0mm）采用陶瓷封裝，具備高抗沖擊、低功耗和快速啟動特性，適用于醫(yī)療、國防、航空航天及工業(yè)領(lǐng)域，支持寬頻率范圍（16kHz-100MHz）和多種溫度穩(wěn)定性等級，符合嚴苛環(huán)境需求。