?Renesas?微控制器和微處理器RL788/16位微控制器(MCU)進(jìn)一步提高了電源效率,具備行業(yè)技術(shù)領(lǐng)先的低功耗性能指標(biāo)。正常情況下工作時(shí)功能損耗為45.5μA/MHz,時(shí)鐘工作時(shí)功能損耗為0.57μA/MHz。內(nèi)嵌高精度(±1%)高速片上振蕩器、可重寫(xiě)100萬(wàn)次的后臺(tái)管理操作數(shù)據(jù)閃存、溫度傳感器和多電源接口端口等功能有利于減少系統(tǒng)生產(chǎn)成本和重量。
ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導(dǎo)體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進(jìn)入晶圓制造流程以生產(chǎn)制造半導(dǎo)體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的流程。
MICRON? DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優(yōu)質(zhì)的性能指標(biāo),MICRON DDR3有一個(gè)較低的工作頻率范圍。結(jié)果顯示可能是應(yīng)用領(lǐng)域更高的傳輸速率來(lái)執(zhí)行系統(tǒng),與此同時(shí)消耗相等或更少的系統(tǒng)輸出功率。
DEI? BD429 ARINC線路驅(qū)動(dòng)電路是一種雙極單片集成電路芯片,致力于滿足多種通用航空串行數(shù)據(jù)總線規(guī)范的需求。這些規(guī)范包括差分雙極RZ類(lèi)型(如ARINC 429、ARINC 571和ARINC 575)和差分NRZ類(lèi)型(如RS-422規(guī)范)。
TI 德州儀器電流感測(cè)放大器采用獨(dú)特的前端結(jié)構(gòu),使放大器的輸入電壓超過(guò)電源電壓,并帶有集成電阻,提高了精度和穩(wěn)定性。
DATEL?采樣保持放大器(sample/hold)也被稱(chēng)作采樣保持電路。當(dāng)模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成為A/D時(shí),需要相應(yīng)的轉(zhuǎn)換時(shí)長(zhǎng)。在此轉(zhuǎn)換時(shí)長(zhǎng)內(nèi),模擬信號(hào)應(yīng)保持基本性不變,以保證轉(zhuǎn)換精度。DATEL采樣保持電路是完成這一基本功能的控制電路。DATEL采樣保持放大器適用于信號(hào)處理系統(tǒng)、事件分析和許多其它應(yīng)用領(lǐng)域。
IR HiRel?線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種易于使用的電源辦理計(jì)劃,輸出電壓鞏固,靜態(tài)電流低,輸入電壓寬,雜音低,封裝小。
?HOLT IC?最新的MIL-STD-1553系列Mamba TM為客戶提供了世界上最小的解決方案,可選擇用于常見(jiàn)應(yīng)用配置的設(shè)備以節(jié)省成本。HOLT IC提供BC / MT / RT,BC / RT,RT / MT和RT組合。所有設(shè)備都是片上集成收發(fā)器,封裝在48針?biāo)芰螿FP或6毫米x 6毫米QFN中,帶有4線40MHz主機(jī)串行外圍接口(SPI)。
Q-Tech?公司為通信、無(wú)線電、雷達(dá)、導(dǎo)彈和航空電子等商業(yè)和高度可靠的軍事應(yīng)用提供最先進(jìn)的混合晶體振蕩器。Q-Tech提供完整的美國(guó)振蕩器和晶體制造能力。所有的Q-Tech產(chǎn)品在設(shè)計(jì)、質(zhì)量、準(zhǔn)時(shí)交貨和一流的客戶服務(wù)方面都達(dá)到了Q-Tech的最高標(biāo)準(zhǔn)。Q-Tech致力于為客戶提供領(lǐng)先的頻率控制解決方案。
Renesas? RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核,該核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋層(SOTB)工業(yè)技術(shù)的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基準(zhǔn)中,ULPMark-CP評(píng)分非常高,達(dá)到705。
ADI又稱(chēng)亞德諾半導(dǎo)體,是全世界設(shè)計(jì),生產(chǎn)制造和銷(xiāo)售高性能模擬,混合信號(hào)和數(shù)字信號(hào)處理(DSP )集成電路集成電路(IC )的領(lǐng)先企業(yè)。ADI擁有世界上最好的模擬芯片技術(shù)和廣泛的芯片設(shè)計(jì)專(zhuān)利。其晶圓產(chǎn)品通常采用高可靠性的產(chǎn)品包裝。
MICROND? DR4S DRAM是一種高帶寬電子計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。它隸屬于SDRAM系列儲(chǔ)存器產(chǎn)品,提供比DDR3 SDRAM更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更低的電流電壓,是全新的儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
?DEI?為航空電子和工業(yè)市場(chǎng)提供30多個(gè)離散數(shù)字接口IC。這些機(jī)器設(shè)備承受六個(gè)或八個(gè)并行處理輸入。一些型號(hào)規(guī)格將并行處理輸入轉(zhuǎn)換為SPI串行數(shù)據(jù)流,并滿足ABD0100H(空中客車(chē)指令)。全系列離散到數(shù)字產(chǎn)品包括do-160d防雷保護(hù),以確保系統(tǒng)壽命。
TI德州儀表?放大器將高精密信號(hào)調(diào)整提升到一個(gè)新的技術(shù)水平,集成化電阻網(wǎng)絡(luò)能夠最大限度地提升精密度和空間工作效率。
DATEL多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)具備用途廣泛,性能全面、多通道差分或單端選擇、MIL-STD-883濾波可靠性高等特點(diǎn)。
?IR-HiRel?氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容,非常適合于高速開(kāi)關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率,降低了系統(tǒng)的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。
HOLT IC?的MIL-STD-1553解決方案是行業(yè)內(nèi)最小、最具成本效益的解決方案,提供了單片芯片上的整體1553接口。
Q-Tech?公司推出了QT 780系列、QT 723和QT 735振蕩器,用于新的空間和低地球軌道(LEO)應(yīng)用,可提供高達(dá)50 kRad(Si)的TID輻射容限。Q-Tech新空間的晶體振蕩器的各種尺寸的引線和SMT封裝的封裝尺寸從2.5x3.2mm到8.89x13.97mm。
Renesas? RZ系列產(chǎn)品根據(jù)32位和64位arm的高端微處理器(MPU)為未來(lái)智能社會(huì)發(fā)展提供了所需要的處理方案。利用各種基于ArmCortex?-A7、A9、A15、A53、a57和R4,技術(shù)工程師可以高效實(shí)現(xiàn)高清晰度工業(yè)觸摸屏(HMI)、嵌入式視覺(jué)效果、嵌入式人工智能(e-ai)和實(shí)時(shí)處理,及其工業(yè)以太網(wǎng)銜接。
?20世紀(jì)50年代,鍺(GE)最開(kāi)始是用作分立器件的半導(dǎo)體材料。ic集成電路的出現(xiàn)是半導(dǎo)體工業(yè)化向前邁開(kāi)的重要一步。1958年7月,德克薩斯州達(dá)拉斯的德州儀器公司杰克·基爾比生產(chǎn)制造了第一個(gè)以鍺半導(dǎo)體材料為襯底的ic集成電路。
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